Главная страница
Навигация по странице:

ЛР №9. Лабораторная работа Изучение температурной зависимости Сопротивления металлов и полупроводников



Скачать 114.7 Kb.
Название Лабораторная работа Изучение температурной зависимости Сопротивления металлов и полупроводников
Анкор ЛР №9.docx
Дата 25.04.2017
Размер 114.7 Kb.
Формат файла docx
Имя файла ЛР №9.docx
Тип Лабораторная работа
#2988
Категория Физика
страница 5 из 5
1   2   3   4   5


Построили график логарифмической зависимости сопротивления полупроводника от обратной величины температуры (рис. 4).
Рис. 4. График логарифмической зависимости сопротивления полупроводника от обратной величины температуры
Получили график в виде прямой линии. График понижения температуры (охлаждения) для дальнейших расчетов не учитывали в связи с неточными показаниями, возникшими при ускоренном охлаждении полупроводника. Рассчитали величину температурного коэффициента сопротивления. В таблице 5 рассчитали значения сопротивления полупроводника с использованием выведенной формулы в зависимости от температуры и вычислили абсолютную и относительную погрешности нахождения сопротивления полупроводника от температуры
по выведенным формулам.




Таблица 5

Абсолютная и относительная погрешности нахождения сопротивления полупроводника от температуры
по выведенным формулам


Температура, К

299

301

303

305

307

309

311

Сопротивление, Ом

↑ темп.




7,0100

6,9631

6,9169

6,8713

6,8263

6,7819

∆ абс.




-0,0179

0,0057

0,0037

0,0049

-0,0009

0,0025

ϭ отн., %




-0,2555

0,0819

0,0539

0,0715

-0,0129

0,0376

Температура, К

313

315

317

319

321

323

325

Сопротивление, Ом

↑ темп.

6,7380

6,6947

6,6520

6,6098

6,5681

6,5269

6,4862

∆ абс.

0,0001

-0,0014

-0,0030

-0,0004

-0,0014

0,0025

-0,0016

ϭ отн., %

0,0016

-0,0212

-0,0451

-0,0063

-0,0212

0,0388

-0,0244

Температура, К

327

329

331

333

335

337

339

Сопротивление, Ом

↑ темп.

6,4460

6,4064

6,3671

6,3284

6,2901

6,2523

6,2149

∆ абс.

0,0013

0,0038

0,0045

0,0013

0,0014

0,0015

0,0017

ϭ отн., %

0,0196

0,0596

0,0701

0,0207

0,0228

0,0242

0,0267

Температура, К

341

343

345

347

349

351

353

Сопротивление, Ом

↑ темп.

6,1780

6,1415

6,1054

6,0698

6,0345

5,9997

5,9652

∆ абс.

-0,0001

0,0005

-0,0029

-0,0013

-0,0014

-0,0057

-0,0016

ϭ отн., %

-0,0011

0,0086

-0,0470

-0,0220

-0,0235

-0,0949

-0,0270

Расчеты:

Для определения ширины запрещенной зоны воспользовались формулой:



Выразив ∆E0 получили:



где k - постоянная Больцмана, 1,38*10-23 Дж/К.
Получили ширину запрещенной зоны, равную 0,36 эВ.
Вывод: В ходе изучения температурной зависимости сопротивления полупроводника увидели, что сопротивление полупроводника уменьшается при увеличении температуры, ширина запрещенной зоны равна 0,36 эВ и по своей величине близка к показателю германия. Таким образом, испытуемый полупроводник изготовлен из германия.
Вывод: В ходе лабораторной работы изучили температурную зависимость сопротивления металла и полупроводника и выяснили,
что при увеличении температуры сопротивление металла увеличивается, а сопротивление полупроводника уменьшается.


Литература

1. Калашников С.Г. Электричество. М.: Наука, 1985.

2. Неменов Л.Л., Соминский М.С. Основы физики полупроводников. Л.: Наука, 1974.

3. Епифанов Г.И. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 1977.
1   2   3   4   5
написать администратору сайта