ЛР №9. Лабораторная работа Изучение температурной зависимости Сопротивления металлов и полупроводников

Скачать 114.7 Kb. Название Лабораторная работа Изучение температурной зависимости Сопротивления металлов и полупроводников Анкор ЛР №9.docx Дата 25.04.2017 Размер 114.7 Kb. Формат файла Имя файла ЛР №9.docx Тип Лабораторная работа #2988 Категория Физика страница 5 из 5

1   2   3   4   5 Построили график логарифмической зависимости сопротивления полупроводника от обратной величины температуры (рис. 4). Рис. 4. График логарифмической зависимости сопротивления полупроводника от обратной величины температуры Получили график в виде прямой линии. График понижения температуры (охлаждения) для дальнейших расчетов не учитывали в связи с неточными показаниями, возникшими при ускоренном охлаждении полупроводника. Рассчитали величину температурного коэффициента сопротивления. В таблице 5 рассчитали значения сопротивления полупроводника с использованием выведенной формулы в зависимости от температуры и вычислили абсолютную и относительную погрешности нахождения сопротивления полупроводника от температуры по выведенным формулам. Таблица 5 Абсолютная и относительная погрешности нахождения сопротивления полупроводника от температуры по выведенным формулам Температура, К 299 301 303 305 307 309 311 Сопротивление, Ом ↑ темп. 7,0100 6,9631 6,9169 6,8713 6,8263 6,7819 ∆ абс. -0,0179 0,0057 0,0037 0,0049 -0,0009 0,0025 ϭ отн., % -0,2555 0,0819 0,0539 0,0715 -0,0129 0,0376 Температура, К 313 315 317 319 321 323 325 Сопротивление, Ом ↑ темп. 6,7380 6,6947 6,6520 6,6098 6,5681 6,5269 6,4862 ∆ абс. 0,0001 -0,0014 -0,0030 -0,0004 -0,0014 0,0025 -0,0016 ϭ отн., % 0,0016 -0,0212 -0,0451 -0,0063 -0,0212 0,0388 -0,0244 Температура, К 327 329 331 333 335 337 339 Сопротивление, Ом ↑ темп. 6,4460 6,4064 6,3671 6,3284 6,2901 6,2523 6,2149 ∆ абс. 0,0013 0,0038 0,0045 0,0013 0,0014 0,0015 0,0017 ϭ отн., % 0,0196 0,0596 0,0701 0,0207 0,0228 0,0242 0,0267 Температура, К 341 343 345 347 349 351 353 Сопротивление, Ом ↑ темп. 6,1780 6,1415 6,1054 6,0698 6,0345 5,9997 5,9652 ∆ абс. -0,0001 0,0005 -0,0029 -0,0013 -0,0014 -0,0057 -0,0016 ϭ отн., % -0,0011 0,0086 -0,0470 -0,0220 -0,0235 -0,0949 -0,0270 Расчеты: Для определения ширины запрещенной зоны воспользовались формулой: Выразив ∆E0 получили: где k - постоянная Больцмана, 1,38*10-23 Дж/К. Получили ширину запрещенной зоны, равную 0,36 эВ. Вывод: В ходе изучения температурной зависимости сопротивления полупроводника увидели, что сопротивление полупроводника уменьшается при увеличении температуры, ширина запрещенной зоны равна 0,36 эВ и по своей величине близка к показателю германия. Таким образом, испытуемый полупроводник изготовлен из германия. Вывод: В ходе лабораторной работы изучили температурную зависимость сопротивления металла и полупроводника и выяснили, что при увеличении температуры сопротивление металла увеличивается, а сопротивление полупроводника уменьшается. Литература 1. Калашников С.Г. Электричество. М.: Наука, 1985. 2. Неменов Л.Л., Соминский М.С. Основы физики полупроводников. Л.: Наука, 1974. 3. Епифанов Г.И. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 1977. 1   2   3   4   5