Диоды и транзисторы_Работа2. Маркировка и обозначения полупроводниковых диодов и стабилитронов

Скачать 137.5 Kb. Название Маркировка и обозначения полупроводниковых диодов и стабилитронов Анкор Диоды и транзисторы_Работа2.doc Дата 30.07.2017 Размер 137.5 Kb. Формат файла Имя файла Диоды и транзисторы_Работа2.doc Тип Документы #10105

МАРКИРОВКА И ОБОЗНАЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И СТАБИЛИТРОНОВ В соответствии с принятой классификацией полупроводниковые диоды относятся к пассивным электронным приборам с одним р-п переходом и с двумя выводами анодом (А) и катодом (К) Принято считать, что диод включен в прямом направлении, когда к аноду подключен положительный потенциал источника тока. Рис. 1. Включение диода в цепь постоянного тока в прямом направлении, б- в обратном направлении А - анод, К - катод При маркировке диодов используются следующие параметры прямое напряжение диода Unp - падение напряжения на диоде в цепи по­стоянного тока при включении диода в прямом направлении, максимально допустимое обратное напряжение Uобр - наибольшее зна­чение напряжения, которое диод может выдержать длительное время без пробоя при его обратном включении, обратный ток Iобр - ток диода при максимальном обратном напряжении Современная система обозначений диодов, стабилитронов и тиристоров, а также опто-электронных приборов установлена отраслевым стандартом. В основу системы обозначений заложен буквенно-цифровой код Первый элемент обозначает полупроводниковый материал прибора. Для обозначения используемого полупроводникового материала используются буквы или цифры приведенные в табл. 1. Второй элемент обозначает тип полупроводникового прибора (см. табл. 1) Третий элемент обозначения - цифра (а у оптопар - буква) указывает на основные функциональные и эксплуатационные возможности диода в зависи­мости от подкласса прибора В четвертом элементе условного обозначения диода используются цифры от 1 до 999. которые показывают порядковый номер разработки данно­го типа диода Пятый элемент — буква русского алфавита, определяет разброс одно­типных диодов, изготовленных по современной единой технологии В качестве классификационной буквы не используются з, о, ч, ш, щ, ю, ь, ъ, э Расшифровка третьего элемента условного обозначения полупроводниковых диодов в зависимости от второго элемента по отраслевому стандарту приведена в табл. 2. Таблица 1 Условные обозначения полупроводниковых диодов, уста­новленные отраслевым стандартом Элементы условного обозначения Расшифровка второго элемента обозначения диода порядковым номер обозначение Первый Гили 1 Германии или его соединения Кили 2 Кремний или его соединения А или 3 Соединения галлия И или 4 Соединения индия Второй А Сверхвысокочастотные диоды В Варикапы Г Генераторы шума Д Диоды выпрямительные импульсные и Диоды туннельные л Оптоэлектронные излучающие приборы н Диодные тиристоры о Диодные оптопары с Стабилитроны и стабисторы У Тиристоры триодные ц Выпрямительные блоки, столбы (диодные сборки) Ниже рассматриваются конкретные условные обозначения полупровод­никовых диодов, стабилитронов и тиристоров ГД107А - диод германиевый, выпрямительный с постоянным или сред­ним значениями прямого тока не более 0,3 А, имеет номер разработки - 07 и разновидность - А КЦ402И - выпрямительный блок, состоящий из кремниевых диодов с по­стоянным или средним значениями прямого тока в пределах от 0,3 до 10 А, имеет номер разработки 02 и разновидность И 2Д202Р - диод кремниевый, выпрямительный с постоянным или средним значениями прямого тока в пределах от 0 3 до 10 А, имеет номер разработки 02 и разновидность Р На заводе-изготовителе продукция принимается пред­ставителем заказчика 2У101Ж - кремниевый незапираемый тиристор с максимально допусти­мыми значениями тока в открытом состоянии При этом средний ток не пре­вышает 0,3 А, а импульсный ток не более 15 А Тиристор имеет номер разра­ботки 01 разновидности Ж На заводе-изготовителе тиристор принимается представителем заказчика Д814Б - (устаревшее обозначение), где Д - диод, 800 - стабилитрон с номером разработки - 14 Буква Б показывает значение номинального напря­жения стабилитрона - 9 В (9 V) КС147В - стабилитрон (С) кремниевый общего применения (К) имеет номер разработки 47 и номинальное напряжение стабилизации 4,7 В 2С215Ж - кремниевый стабилитрон (С) с приемкой заказчика (2), имеет номер разработки 215, номинальное напряжение стабилизации 15 В, класси­фикационный параметр Ж (определяет мощность и класс точности) КУ202М - кремниевый незапираемый тиристор с максимально допусти­мыми значениями тока в открытом состоянии, со средним током, лежащим в пределах от 0,3 до 10 А, импульсным током от 15 до 100 А, имеет номер раз­работки 02 и разновидность М АЛ 102 - полупроводниковый светоизлучающий диод (Л) на основе со­единений галлия с приемкой представителем заказчика (А) Диод имеет по­рядковый номер разработки 102 ЗЛС343А - полупроводниковый светоизлучающий прибор (Л), изготавли­ваемый на основе галлия с приемкой представителем заказчика (3), состоит из нескольких полупроводниковых приборов (С), имеет номер разработки 343 и разновидность А. Таблица2. Условные обозначения полупроводниковых диодов по второму и Третьему элементам в соответствии с отраслевым стандартом Второй элемент Обозначение третьего элемента Расшифровка третьего элемента обозначения Подкласс Д 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А Выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого тока более 0,3 А, но не более 10 А Резерв Импульсные диоды с временем восстановления не более 500 не (500 ns) Импульсные диоды с временем восстановления более 150 не, но не выше 500 не (150 и 500 ns соответственно) Импульсные диоды с временем восстановления от 30 до 150 не (от 30 до 150 ns) Импульсные диоды с временем восстановления от 5 до 30 не (от 5 до 30 ns) Импульсные диоды с временем восстановления от 1 до 5 не (от 1 до 5 ns) Импульсные диоды с эффективным временем жизни не основных носителей заряда менее 1 не (менее 1 ns) Подкласс Ц 1 2 3 4 Выпрямительные столбы с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А Выпрямительные столбы с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до10 А Выпрямительные блоки с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А Выпрямительные блоки с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до10 А Подкласс В 1 2 Подстроечные варикапы Умножительные варикапы Подкласс И 1 2 3 4 Усилительные туннельные диоды Генераторные туннельные диоды Переключательные туннельные диоды Обращенные туннельные диоды Подкласс А 1 2 3 4 5 6 7 8 Смесительные диоды Детекторные диоды Усилительные диоды Параметрические диоды Переключательные и ограничительные диоды Умножительные и настроечные диоды Генераторные диоды Импульсные диоды Подкласс С 1 2 3 4 5 Стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В Стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации в пределах 10 100 В Стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В Стабилитроны мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В Стабилитроны мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации в пределах 10 100 В Подкласс С 6 7 8 9 Стабилитроны мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В Стабилитроны мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В Стабилитроны мощностью от 5 до 10 ВТ с номинальным напряжением стабилизации в пределах от 10 до 100 Вт Стабилитроны мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 Вт Подкласс Г 1 2 Низкочастотные генераторы шума Высокочастотные генераторы шума Источники инфракрасного излучения Подкласс Л 1 2 3 4 5 6 7 Диоды излучающие Модули излучающие Приборы визуального представления информации Светоизлучающие диоды Знаковые индикаторы Знаковые табло Шкалы Экраны Подкласс О Р Д У Т Резисторные оптопары Диодные оптопары Тиристорные оптопары Транзисторные оптопары Подкласс Н 1 2 Тиристоры с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А Тиристоры с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3 А, но не более 10 А Незапираемые тиристоры с максимально допустимым значением тока в открытом состоянии: среднего тока не более 0,3 А и импульсного тока не более 15 А, среднего тока от 0,3 до 10 А и импульсного тока от 15 до 100 А, среднего тока более 10 А и импульсного тока более 100 А Запираемые тиристоры с максимально допустимым значением тока в открытом состоянии: среднего тока не более 0,3 А и импульсного тока не более 15 А, среднего тока от 0,3 до 10 А и импульсного тока от 15 до 100 А, среднего тока более 10 А и импульсного тока более 100 А Симметричные тиристоры с максимально допустимым значением тока в открытом состоянии: среднего тока не более 0,3 А и импульсного тока не более 15 А, среднего тока от 0,3 до 10 А и импульсного тока от 15 до 100 А, среднего тока более 10 А и импульсного тока более 100 А Подкласс У 1 2 7 3 4 8 5 6 9 ОБОЗНАЧЕНИЯ И МАРКИРОВКА БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Слово транзистор происходит от двух слов: transister и resistor и перево­дится как «передающий резистор». Транзисторы различаются по принципу действия. Они бывают биполярные (управляемые током) и униполярные, или полевые (управляемые напряжением), на основе исходных материалов герма­ния, кремния, галлия и их соединений. Транзисторы классифицируются по различным признакам и, в частности, по области применения: транзисторы общего назначения (универсальные), пе­реключательные. генераторные, низкочастотные, высокочастотные, малой мощ­ности, средней мощности, большой мощности и т. д., показанные в табл. . Признаками классификации транзисторов являются также: марка (вид) исход­ного материала, основные электрические параметры, конструктивно-технологические признаки, функциональное назначение и др. Большинство этих признаков находят отражение в системах обозначений и применяются при маркировке изготавливаемых типов транзисторов. Типы транзисторов. Биполярные транзисторы - полупроводниковые приборы с двумя взаимо­действующими переходами и с тремя или более выводами усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции не основ­ных носителей заряда Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей, управление -током Изготавливаются биполярные транзисторы на основе кремния или герма­ния и в соответствии с чередованием слоев полупроводникового материала бывают р-п-р или п-р-п типов (проводимости) Выводы (электроды) транзисторов обоих типов проводимости называют­ся вывод эмиттера - эмиттер, вывод базы - база, вывод коллектора - коллек­тор Кремниевые транзисторы имеют значительно лучшую температурную стабильность по сравнению с германиевыми транзисторами, кроме того, гер­маний как материал более редкий и поэтому кремниевые полупроводниковые приборы применяются в подавляющем большинстве случаев. Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал и управляемый электрическим полем. Действие по­левого транзистора вызвано носителями заряда одной полярности. Полевые транзисторы изготавливаются: с управляющим р-п переходом с р или п каналом; с изолированным затвором с встроенным п или р каналом; с изолированным затвором с индуцированным п или р каналом. Полевой транзистор с управляющими р-п переходом имеет три электро­да: исток, сток и затвор. Если на затворе напряжение отсутствует, а на сток подано относительно истока положительное напряжение, то между истоком и стоком через л-канал протекает максимальный ток. Для его изменения на за­твор подают отрицательное относительно истока, при этом р-п переход между областью затвора и каналом смещается в обратном направлении. Область р-п перехода тем шире, чем больше обратное напряжение. Таблица 3. Условные графические изображения биполярных и полевых транзисторов Полное наименование транзистора Графическое обозначение Биполярные транзисторы р-п-р и п-р-п типов Однопереходные транзисторы с п и р базой и с р-п переходом Полевой транзистор с каналами n и p типа Полевые транзисторы с изолированным затвором с внутренним соединением подложки и истока с встроенными кана­лами p и n типов Полевые транзисторы с изолированным затвором с внутренним соединением подложки и истока с унифицированным каналом p и n типов В общем случае маркировка транзи­сторов включает в свой состав следующие элементы: Первый элемент обозначает полупроводниковый материал, на основе ко­торого изготовлен транзистор Для обозначения полупроводникового материа­ла используются следующие символы Г или 1 - для германия или его соединений, К или 2 -для кремния или его соединений, А или 3 - для соединений галлия (в основном арсенид галлия для созда­ния полевых транзисторов; И или 4 - для соединений индия Второй элемент обозначения - буква, которая определяет подкласс (группу) транзистора. Для обозначения подклассов используются буквы: Т -для биполярных и П - для полевых транзисторов Третий элемент обозначения - цифра, определяющая основные эксплуатационные признаки и функциональные возможности транзистора: допустимое значение рассеиваемой мощности, значение граничной частоты; для полевых транзисторов - значение максимальной рабочей частоты. Значения третьего элемента обозначений транзисторов приведены в табл. 4. Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер конструк­тивно-технологической разработки транзистора. Для обозначения порядкового номера разработки используются числа от 01 до 99 (если этих номеров недос­таточно, то от 101 до 999). Пятый элемент обозначения - буква, условно определяющая классифи­кацию транзисторов по их параметрам и изготавливаемых по единой техноло­гии. В качестве классификационной литеры используются буквы русского ал­фавита за исключением букв Ё, Й, 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э. Стандарт предусматривает дополнения к обозначению рядом дополни­тельных признаков при необходимости отметить существенные конструктивно-технологические особенности транзисторов В качестве дополнительных сим­волов в обозначении используют цифры от 1 до 99 (для обозначения модер­низаций транзисторов), а также букву С - для обозначения набора однотипных транзисторов в одном общем корпусе -так называемые транзисторы сборки. В конце условного обозначения для бескорпусных транзисторов добавля­ется буква, написанная через дефис, которая определяет модификацию кон­структивного исполнения: 1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (без подложки); 2-е гибкими выводами на кристаллодержателя (на подлож­ке); 3-е жесткими выводами без кристаллодержателя (без подложки); 4-е жесткими выводами на кристаллодержателе (на подложке); 5-е контактными площадками без кристаллодержателя (без подложки) и без выводов; 6-е кон­тактными площадками на кристаллодержателе (на подложке), но без выводов. Примеры обозначений транзисторов: КТ315Б — кремниевый с приемкой ОТК (К); транзистор биполярный (Т); малой мощности, с граничной частотой более 30 МНг (3), номер разработки 5; классификационная группа Б. ГТ405А - германиевый с приемкой ОТК (Г); транзистор биполярный (Т); средней мощности, с граничной частотой не более 3 МНг (4); номер разработ­ки 05; классификационная группа А. КТ937Б-2 - кремниевый с приемкой ОТК (К); транзистор биполярный (Т); большой мощности, с граничной частотой более 30 МНг (9); номер разработки 37; классификационная группа Б; бескорпусный, с гибкими выводами на кри­сталлодержателе. 2ТС613Г - кремниевые с приемкой заказчика (2); транзисторы биполяр­ные (Т); сборка транзисторная (С); средней мощности, с граничной частотой более 30 МНг; номер разработки - 13, классификационная группа - Г. КП305И - кремниевый с приемкой ОТК (К); полевой транзистор (П); малой мощности, с граничной частотой более 30 МНг. У биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г, условные обозна­чения типа транзистора могут состоять из двух или трех элементов. Первый элемент характеризует класс биполярных транзисторов (полу­проводниковые приборы) - буква П Для транзисторов в корпусе, герметизи­руемом способом холодной сварки - две буквы МП. Второй элемент обозначения - число, которое определяет порядковый номер разработки, указывает на материал и основные эксплуатационные при­знаки, значения которых приведены в табл. 5. Третий элемент обозначения - буква, условно определяющая классифи­кацию транзисторов по параметрам и изготавливаемых по единой технологии У некоторых типов транзисторов третий элемент может отсутствовать Примеры обозначения транзисторов: П16Б - германиевый, маломощный, низкочастотный, номер разработки 16, классификационная группа Б. МП101 - кремниевый, маломощный, низкочастотный транзистор в холод­носварочном корпусе, номер разработки 01. П201Э - германиевый, мощностью более 0,25 Вт, низкочастотный, классификационная группа Э. П703Д - германиевый, мощностью более 0,25 Вт, высокочастотный, классификационная группа Д. Таблица 4. Расшифровка третьего элемента обозначения транзисторов согласно ОСТ 11.336.919-81 Третий элемент обозначения Эксплуатационные признаки транзисторов 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Малой мощности - рассеиваемая мощность до 0,3 Вт С граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее - граничной частотой) не более 3 МГц С граничной частотой 3...30 МГц С граничной частотой более 30 МГц Средней мощности -рассеиваемая мощность более 0,3, но не более 1,5 Вт С граничной частотой не более 0,3 МГц С граничной частотой 3...30 МГц С граничной частотой более 30 МГц Большой мощности -рассеиваемая мощность более 1,5 Вт С граничной частотой не более 3 МГц С граничной частотой 3...30 МГц С граничной частотой более 30 МГц Таблица 5. Расшифровка второго элемента обозначения биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. Второй элемент обозначения Эксплуатационные признаки транзисторов От 1 до 99 От 101 до199 От 201 до 299 От 301 до 399 От 401 до 499 От 501 до 599 От 601 до 699 От 701 до 799 Германиевые, маломощные (до 0,25 Вт), низкочастотные Кремниевые, маломощные (до 0,25 Вт), низкочастотные Германиевые, мощностью более 0,25 Вт, низкочастотные Кремниевые, мощностью более 0,25 Вт, низкочастотные Германиевые, высокочастотные и СВЧ, маломощные (до 0,25 Вт) Кремниевые, высокочастотные и СВЧ, маломощные (до 0,25 Вт) Германиевые, высокочастотные и СВЧ, мощностью бопее 0,25 Вт Кремниевые, высокочастотные и СВЧ, мощностью более 0,25 Вт